实验设备:3G3MV+MOXA 串口模块
实验目的:将 3G3MV 将通讯修改的 RAM 写入 EEPROM
步骤:
1.不采用写入 EEPROM
①写 010B 寄存器中最大频率参数
命令 01 10 01 0B 00 01 02 02 00 B6 8B
②读取 010B 寄存器数据
命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
反馈 01 03 02 02 00 B9 24
③断电上电,读取 010B 寄存器数据
命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
反馈 01 03 02 01 F4 B8 53
结论:断电,数据恢复
2.采用写入 EEPROM
①写 010B 寄存器中最大频率参数
命令 01 10 01 0B 00 01 02 02 00 B6 8B
②读取 010B 寄存器数据
命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
反馈 01 03 02 02 00 B8 53
③写入 EEPROM
命令 01 10 09 00 00 01 02 00 00 3F 50(赋值固定(0000))
④断电上电,读取 010B 寄存器数据
命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
反馈 01 03 02 02 00 B9 24
结论:断电,数据生效
注:
只能将 0101 寄存器以后的 RAM 数据保存到 EEPROM