快速链接到欧姆龙其他国家/地区的网站。close

欧姆龙全球

首页  >  产品资讯  >  产品共通信息

Q:3G3MV如何将通讯修改的RAM写入EEPROM?

A:

实验设备:3G3MV+MOXA 串口模块
 

实验目的:将 3G3MV 将通讯修改的 RAM 写入 EEPROM
 

步骤:
 

1.不采用写入 EEPROM
 

①写 010B 寄存器中最大频率参数
 

 命令 01 10 01 0B 00 01 02 02 00 B6 8B
 

②读取 010B 寄存器数据
 

 命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
 

反馈 01 03 02 02 00 B9 24
 

③断电上电,读取 010B 寄存器数据
 

 命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
 

反馈 01 03 02 01 F4 B8 53
 

结论:断电,数据恢复
 

2.采用写入  EEPROM
 

①写 010B 寄存器中最大频率参数
 

 命令 01 10 01 0B 00 01 02 02 00 B6 8B
 

②读取 010B 寄存器数据
 

 命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
 

反馈 01 03 02 02 00 B8 53
 

③写入 EEPROM 
 

 命令 01 10 09 00 00 01 02 00 00 3F 50(赋值固定(0000))
 

④断电上电,读取 010B 寄存器数据
 

 命令 01 03 01 0B 00 01 F4 34
 

反馈 01 03 02 02 00 B9 24
 

结论:断电,数据生效
 

注:
 

只能将 0101 寄存器以后的 RAM 数据保存到 EEPROM

以上回答是否解决了您的问题?

问题反馈

为了提供更优质的服务,请对我们提出意见和建议

提交

服务支持

APP下载

在线客服

邮件订阅

TOP