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Solution

解决方案

等离子刻蚀机上的温度控制方案

利用PID温控技术,抑制不同
刻蚀功率下的温度干扰

  • 半导体
  • 加工
  • FA自动化设备

工艺简介

在半导体制造工艺中,光刻、刻蚀和离子注入是三大核心工艺环节。在集成电路制造过程中,刻蚀工艺通常在热盘对晶圆进行稳定加热的条件下进行,通过等离子体对晶圆表面进行选择性刻蚀,从而形成所需的电路图形。在12英寸28nm芯片制程中,刻蚀均匀性是关键工艺指标,而温度控制是保证刻蚀均匀性的决定性因素。

课题

如何创新温度波动干扰抑制算法,实现刻蚀启辉时温度波动抑制在±0.5℃内,满足刻蚀工艺温控的要求?

解决方案

1. 在传统PID控制的基础上,增加前馈补偿通道,消除刻蚀启辉干扰,抑制干扰带来的温度扰动。

2. 利用Matlab数字化技术平台融合产品与应用,配合巧妙的前馈干扰抑制算法,将不同刻蚀功率下的温度干扰抑制在±0.5℃以内,刻蚀启辉温度的干扰抑制从2.3℃降低至±0.48℃,满足客户刻蚀工艺温控需求。

系统配置

实现价值

【工程师层】

■ 采用前馈控制算法,有效抑制温度干扰,降低温度波动,实现多分区热盘的同步升温控制。

【管理层】

■ 通过精确调控温度参数影响刻蚀速率,提升加工精度,同时优化能源利用效率。

【经营层】

■ 依托精密工艺创新与流程优化,赋能客户价值提升,服务产业高质量发展需求。

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