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Solution

解决方案

温控技术在RTP快速退火炉上的应用

利用温度控制技术,实现快速
退火炉上的多路高速同步升温

  • 半导体
  • 加工
  • FA自动化设备

设备概况

RTP快速退火炉作为芯片制造环节中的重要工艺之一。RTP利用红外灯管热辐射加热技术,在几秒时间内(20~130℃/秒)实现晶圆的快速升温退火和尖峰退火工艺;通过退火处理,可以使材料得到修复,结晶体内部重新排列,去除缺陷和杂质,恢复晶格完整,提高电导率。

课题

1. 如何实现多路高速同步升温控制,且超调小于10℃和震荡小于10秒?

2. 如何实现TC-WAAFER多点测温温度均一性小于10℃?

解决方案

通过多物理场建模仿真,创新权重系数分配算法,最终实现了150℃/S的高速同步升温且无超调和温度均一性小于10℃的最优控制效果。

系统配置

在传统PID控制的基础上,创新权重分配算法,实现高速同步升温控制。

实现价值

【经营层】

■ 赋能客户完成RTP退火炉自主研发,助力高端热工装备进阶。

【业务层】

■ 协同客户完成温控技术升级,推动能效与精度突破。

【现场层】

■ 实现多路高速同步升温控制,且超调小于10℃和震荡小于10秒,TC-WAAFER多点测温温度均一性小于10℃。

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