半导体生产中的wafer mapping检测方案
E3NC智能传感器通过实时计算目标物的轮廓积分面积,精准识别片材堆叠状态。当检测到积分面积异常增大时,系统立即触发报警并联动设备停机。
E3NC通过实时分析检测目标的波峰位置差异,精准识别物料倾斜状态。当计算出的位置差值超出设定阈值时,系统立即判定为斜片故障,同步触发报警信号并联动设备停机调整。
E3NC通过实时比对检测目标的波峰位置与预设基准距离的差异,精准判断物料弯曲状态。当位置差值超出安全阈值时,系统立即触发弯片报警并联动设备调整或停机。
E3NC采用镜反射型的检测方式,解决了以往普通反射型传感器对磨边后的高反光球面检测不稳定的课题。
针对高透明度的物体检测(95%透明度薄膜),E3NC采用多波长的激光光源,通过不同波段光线的穿透与反射特性差异对透明体进行检测。
配置: