快速链接到欧姆龙其他国家/地区的网站。

欧姆龙全球

欧洲
- 欧洲
- 奥地利
- 比利时
- 捷克共和国
- 丹麦
- 芬兰
- 法国
- 德国
- 匈牙利
- 意大利
- 荷兰
- 挪威
- 波兰
- 葡萄牙
- 俄罗斯
- 西班牙
- 瑞典
- 瑞士
- 土耳其
- 英国

中东

请联系我们的欧洲总部。
非洲
- 南非

大中华区

中国(包括香港、澳门、台湾)
亚太
- 澳大利亚
- 印度
- 印度尼西亚
- 马来西亚
- 新西兰
- 菲律宾
- 新加坡
- 泰国
- 越南

日本 / 韩国
- 日本
- 韩国
美洲
- 巴西
- 加拿大
- 美国
- 美国[安全]
- 墨西哥
- 阿根廷

G3VM-□1BR□ / □1ER□

MOS FET继电器 DIP6针高容量&低导通电阻型

G3VM-□1BR□ / □1ER□

DIP6针封装，实现与机械式继电器相当的低导通电阻、高容量开关的MOS FET继电器

样本 / 手册・说明书 /CAD /软件

样本
CAD

中文

※若样本的PDF文件较大，建议右击后选择"保存"。
样本名称	样本编号 [容量]	信息更新
G3VM-□1BR□ / □1ER□ 产品规格书	K303-CN1-05 [3457KB]	2023年1月13日 20230113	G3VM-□1BR□ / □1ER□ 产品规格书

产品类别

继电器
- 印刷基板用继电器
  - MOS FET 继电器
    - 高容量&低导通电阻型
      - G3VM-63BR / 63ER
      - G3VM-□HR□
      - G3VM-□AR / □DR
      - G3VM-□1BR□ / □1ER□
      - G3VM-□CR□ / □FR□
      - G3VM-41GR8 / 61GR□ / 61VR
      - G3VM-31QR

TOP