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G3VM-□1BR□ / □1ER□

MOS FET继电器 DIP6针 高容量&低导通电阻型

G3VM-□1BR□ / □1ER□

DIP6针封装,实现与机械式继电器相当的低导通电阻、高容量开关的MOS FET继电器

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样本名称 样本编号
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信息更新
G3VM-□1BR□ / □1ER□ 产品规格书 K303-CN1-05
[3457KB]
2023年1月13日
20230113
G3VM-□1BR□ / □1ER□ 产品规格书

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